返回第184章 晶圆生产专利池(1 / 2)回眸1991首页

进入七月份以后,随着气温的逐渐升高,王耀城更加忙碌了。

三度飞赴本子国,进行重要的商务谈判。

经过艰苦的反复拉锯,大西洋公司与日资富士通公司谈判达成,八英寸晶圆厂生产专利池一揽子永久授权解决方案,双方终于签署正式协议。

大西洋公司以1.78亿美金的高昂代价,取得了DRAM半导体生产专利池一揽子永久授权,从此打开了通向世界市场的通道。

这份合同意义重大,意味着大西洋公司生产的DRAM半导体,不再会受到生产专利的困扰,可以畅通地进入全世界市场销售。

这一协定的签署,彻底打通了最后专利墙阻碍,为大西洋公司飞速发展奠定基础。

还别嫌价格贵,除了日资大厂富士通公司,其他竞争对手为了排挤新玩家进入这个市场,绝不会卖出专利授权,这玩意别的地儿还真没处买,独此一家。

日资富士通公司是本子国“DRAM制法革新“国家项目参与厂商,依照日资厂商生产专利互相授权协议,亨有DRAM半导体从IC设计,生产,封装,测试全过程专利池使用授权。

这个专利池使用授权来自于历史上的一次集体科技攻关,既然富士通公司退出了DRAM半导体生产领域,加之与棒子国三星半导体公司,现代半导体公司宿怨极深。

为了恶心对手,也为了出一口心中的恶气,在无形的压力和高价诱惑之下富士通公司终于松口,将手里掌握的生产专利池使用授权永久转让。

历史上

1976年3月,经通产省、自民党、大藏省多次协商,本子政府启动了“DRAM制法革新“国家项目。

由本子政府出资320亿日元,日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元,总计投入720亿日元为基金,由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头,设立国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”。

攻关项目由日立公司领头组织 800 多名技术精英,共同研制国产高性能 DRAM 制程设备,目标是突破64K DRAM和256K DRAM的实用化,远期实现1M DRAM的实用化。

在这一技术攻关体系中,日立(第一研究室),负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置。

富士通(第二研究室)研制可变尺寸矩形电子束扫描装置。

东芝(第三研究室)负责 EB 扫描装置与制版复印装置。

电气综合研究所(第四研究室)对硅晶体材料进行研究。

三菱电机(第五研究室)开发制程技术与投影曝光装置。

NEC(第六研究室)进行产品封装设计、测试、评估研究。

1980年,本子国VLSI联合研发体,宣告完成为期四年的VLSI攻关项目。

期间申请的实用新型专利和商业专利,达到1210件和347件。

研发的主要成果包括各型电子束曝光装置,采用紫外线、X 射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等,取得了引人注目的成果。

针对难度大的高风险研究课题,VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式,调动各单位进行良性竞争,保证研发成功率。

各企业的技术整合,保证了DRAM 量产成功率,奠定了日资半导体厂商在 DRAM 市场的霸主地位。

日资半导体厂商互相授权,共同拥有DRAM 生产专利,这是世界上技术水平最高的生产系列专利池,延伸到生产链的全过程,可以保证可靠的良品率。

消息传出,此次生产技术专利永久转让,引起了韩棒子三星及现代公司的高度恐慌,报纸,电台连篇累牍的宣传狼来了。

棒子国政府和产业界相关人士,在不同的场合表示了极为忧虑的诉求,他们敏感地意识到前景难料。

1993年的华国,正在经济腾飞的起始阶段,国际国内大环境相对比较宽松。

这一专利转让案并没有引起以米国为首国际联盟的围堵和打击,只是发表了一篇不痛不痒的关切报告,然后就束之高阁了,让棒子国上下大失所望。

作为经济动物,日资大厂更关切自己的利益。

这一结果对富士通公司来说,犹如三九天吃了冰水一样舒爽,对于棒子国的强烈抗议置若罔闻,开心的举办宴会庆祝胜利。

协议的签订,富士通公司收获了巨额专利费,又给老对手添了堵,可谓是一举两得。

花费了二个多月时间,王耀城办好了这一切,辗转回国解决了迫在眉睫的大量问题,于八月中旬返回米国。

随行带着新招聘的保镖,将保镖队伍扩充到22人之多,加上保镖家属将近50人。